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真空鍍膜一種産生薄膜材料電漿設備的技術。在真空室內材料的原子從加熱源離析出來打到被鍍物體的表面上。此項技術用于生産激光唱片（光盤）上的鋁鍍膜和由掩膜在印刷電路板上鍍金屬膜。

真空鍍膜中對蒸發源的材料要求有哪些？

通常對蒸發源應考慮蒸發源的材電源供應器料和形狀，一般對蒸發源材料的要求是：

(1)熔點高。因爲蒸發材料的蒸發溫度(平衡蒸汽壓爲1。3Pa的溫度)多數在1000~2000℃之間，鎢鋼銑刀因此，蒸發源材料的熔點應高于此溫度。

(2)平衡蒸汽壓低。這主要是防止或減少高溫下蒸發源材料隨蒸發材料蒸發而成爲雜質，進入蒸電漿鍍膜鍍膜層中。只有在蒸發源材料的平衡氣壓足夠低時，才能保證在蒸發時具有最小的自蒸發量，才不致影響系統真空度和汙染膜層，爲了使蒸發源材料所蒸發鍍膜代工的數量非常少，在選擇蒸發溫度、蒸發源材料時，應使材料的蒸發溫度低于蒸發源材料在平衡氣壓爲1。3×10-6Pa時的制備高質量的薄膜可采用與1。3×10-3Pa所對應的溫度。

(3)化學性能穩定，在高溫下不應與蒸發材料發生化學反應。在高溫下某些蒸發源材料，與蒸發材料之間會産生反應及擴散而形成化合物和合金。特別是形成低共 熔點合金蒸發源容易燒斷。例如在高溫時钽和金會形成合金，鋁、鐵、鎳、钴也會與鎢、钼、钽等蒸發源材料形成合金。鎢還能與水或氧發生反應，形成揮發性的氧 化物如WO、WO2或WO3；钼也能與水或氧反應而形成揮發性MoO3等。因此，應選擇不會與鍍膜材料發生反應或形成合金的材料做該材料的蒸發源材料。

作爲蒸發源的材料必須具備熔點高、揮發低、高溫冷卻後脆性小等性質。常用的線狀蒸發源應能與蒸發金屬相潤濕，熔點防靜電產品遠遠大于待鍍金屬的蒸發溫度，不與待鍍金屬發AP Plasma生反應生成合金。